Yüksek güçlü cihazların sert, yüksek ısılı üretim süreçlerine dayanabilen ve yüksek oranda iletken olan yarı iletken üretme kabiliyetimiz, günümüz toplumunda daha güçlü elektronik cihazlara duyulan ihtiyacı kısıtlıyor.
Elmas üzerindeki galyum nitrit (GaN) ise, her iki malzemenin de sahip olduğu geniş bant aralığı sebebiyle yeni nesil bir yarı iletken malzeme olma bakımından umut vadediyor. Yüksek akım ve ısı iletkenliği sayesinde malzeme, ısı yayan üstün bir alt tabakaya dönüşüyor. Şimdiye kadar, elmas üzerinde GaN yapısı oluşturmaya yönelik çeşitli girişimler yapılmış ve bu girişimlerde iki bileşen, bir çeşit geçiş veya yapışkan katmanıyla birleştirilmeye çalışılmış. Fakat ilave katman, elmasın ısıl iletkenliğine önemli oranda müdahale etmiş ve GaN-elmas bileşiminin taşıdığı önemli bir avantajı ortadan kaldırmış.
Osaka Şehir Üniversitesi Mühendislik Yüksek Lisans Fakültesinde çalışan ve makalenin baş yazarı olan yardımcı profesör Jianbo Liang, “Bu sebeple, elması ve GaN’ı doğrudan bütünleştirebilen bir teknolojiye ihtiyaç vardı” diyor. “Fakat bu malzemelerin kristal yapılarında ve kafes sabitlerinde büyük farklılıklar olduğundan, GaN’da doğrudan elmas çoğaltılması veya bunun tersi mümkün değil.”
Araştırmacılar iki gün önce Advanced Materials bülteninde sundukları makalede, yüzey aktifleştirilmiş bağlanma (SAB) yöntemiyle GaN ve elması başarıyla birbirine bağladıklarını bildirip, bağın 1.000 derece Celsius’a kadar ısıtıldığı zaman bile istikrar sergilediğini gösteriyorlar.
Osaka Şehir Üniversitesi. Ç: O.
