Tüketici elektroniğinden büyük verilere ve beyinden ilham alan bilişime kadar her şeyde daha hızlı, daha ufak, daha akıllı ve daha verimli yongalar yolda olabilir. Austin Teksas Üniversitesi’nde çalışan mühendisler, şimdiye kadar oluşturulan en küçük bellek cihazını üretmişler. Ayrıca bu süreçte, bu küçük cihazlarda yoğun bellek depolama kabiliyetlerini mümkün kılan fizik dinamiklerini de çözmüşler.
Geçenlerde Nature Nanotechnology bülteninde yayımlanan araştırma, araştırmacıların o zamanki en ince bellek depolama cihazını oluşturduğu iki yıl önceki bir keşfe dayanıyor. Bu yeni çalışmada ise araştırmacılar, boyutu çok daha fazla azaltmış ve en kesit alanını sadece bir nanometre kareye kadar indirmişler.
Yoğun bellek depolama kabiliyetinin bu cihazlara eklenmesini sağlayan fizik kurallarını anlamak, onların çok daha ufak hale getirilmesini sağlamış. Malzemedeki bozukluklar veya delikler, yüksek yoğunluklu bellek depolama kapasitesini mümkün kılmanın anahtarını sunuyor.
Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Bölümü’nde profesör olan Deji Akinvande, “Tek bir fazladan atom bu nano ölçekli deliğe girip onu kapattığında, iletken özelliğinin bir kısmını malzemeye veriyor ve bu durum bir değişime ya da bellek etkisine yol açıyor” diyor.
Araştırmacılar çalışmalarında ana nano malzeme olarak molibden disülfit (MoS2 şeklinde de biliniyor) kullansa da, keşfin atom inceliğindeki yüzlerce malzemeye uygulanabileceğini düşünüyorlar.
Austin Teksas Üniversitesi. Ç: O.
